新京报讯（记者张璐）3月29日下午，2026中关村论坛年会重大成果专场发布会举行，按照面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康四大板块发布科技成果。其中，“面向世界科技前沿”板块共有5项成果入选，包括高能同步辐射光源建成试运行、世界最高磁场全超导用户磁体等。

高能同步辐射光源建成试运行

发布单位：中国科学院高能物理研究所

高能同步辐射光源（HEPS）全面建成，是亚洲首个第四代同步辐射装置，标志着我国在这一战略科技领域实现从“追随”到“领跑”的跨越。用“最亮”的光看“最小”的世界，它被誉为探索微观世界的“超级显微镜”，不仅是基础研究的利器，还将为航空航天、新材料、半导体、生物医学和医药等众多领域装上“创新引擎”。

世界最高磁场全超导用户磁体

发布单位：中国科学院电工研究所、中国科学院物理研究所

中国科学院电工研究所和物理研究所团队突破强磁场用户超导磁体设计与建造关键技术，研制出中心磁场强度达35.6特斯拉的全超导用户磁体，相当于地球磁场的70多万倍，一举打破世界纪录。将为我国科学家在物质科学、生命科学等领域探索微观世界规律提供前所未有的极端实验条件，是推动基础研究和高端装备技术革新的“国之重器”。

首次实现二维金属

发布单位：中国科学院物理研究所

二维金属是由单个原子层构成的超薄金属材料，厚度相当于头发丝直径的二十万分之一。中国科学院物理研究所团队创造性发展了原子级制造的范德华挤压技术，攻克了金属材料无法稳定存在于原子级厚度的世界性难题，首次将铋、锡、铅等金属推进到原子极限厚度的二维世界，将为超微型低功耗晶体管、透明显示、高频器件等众多领域带来颠覆性技术革新。

性能超越硅基的二维半导体晶圆

发布单位：北京大学

当传统硅基芯片即将触达性能极限，全球都在寻找下一代“芯片革命”的突破口。硒化铟因其优异的电学性能，被誉为“黄金半导体”。北京大学团队在国际上首次实现了高质量二维硒化铟材料的晶圆级集成制造，并实现2英寸高质量硒化铟晶圆的规模化制备，电子迁移率等核心指标创下二维薄膜器件新纪录，延迟时间降低至1/3，能效提升10倍，为后摩尔时代芯片性能跃升提供全新材料路径。

全球首款亚埃米级光谱成像芯片“玉衡”

发布单位：清华大学

清华大学团队首创“可重构计算光学成像架构”，自主研制“玉衡”芯片，一举突破光谱成像高分辨率与通量不可兼得的历史难题，首次实现亚埃米级光谱分辨率、千万像素空间分辨率和88Hz快照光谱成像能力，快照光谱成像的分辨能力一举提升两个数量级，探测效率超越国际同类设备百倍以上。未来有望赋能环境监测、机载遥感乃至智能感知等多个关键领域，为科学与产业的前沿探索装上“火眼金睛”。

编辑 刘梦婕

校对 赵琳